1. Bagaimana cara membuat transistor secara manual adalah
Dalam teknik penumbuhan (grown technique), suatu kristal tunggal ditarik dari lelehan silikon (germanium) yang mengandung atau dapat dikatakan pencampuran jenis n. Selama proses penarikan jenis pencampur dari lelehan diubah dengan menambahakan mula – mula pencampur jenis p. Kemudian pencampur jenis n ditambahkan lagi membentuk transistor jenis n-p-n. Demikian pula, transistor p-n-p dapat pula dibuat.
Dalam teknik aloi atau teknik leleh (fused), bintik kecil indium (elemen aseptor) ditempatkan masing-masing sisi wafer tipis semikonduktor jenis n.Gabungan tersebut dipanaskan dalam waktu singkat pada temperature tinggi.Selama proses tersebut indium meresap dan masuk ke dalam smikonduktor.Susunan pada waktu mendingin menjadi transistor p-n-p.Dengan cara yang sama transistor n-p-n dapat dibuat.
Dalam teknik difusi, semikonduktor ekstrinsik (dikatakan jenis n) berperan sebagai kolektor yang dipanaskan dalam pembakar berisi pencampur jenis p. Hasil pencampuran yang berbentuk gas berdifusi masuk ke dalam permukaan semikonduktor membentuk daerah p yang akan digunakan sebagai basis transistor.Irisan ini kemudian ditutup oleh mask dengan bukaan tertentu kemudian dipanaskan kembali dalam bentuk gas dari pencampur jenis n yang akan membentuk bahan jenis n dalam lapisan jenis p. Lapisan n akan membentuk emitter dari transistor yang merupakan proses rombongan (batch). Dalam teknik difusi tebal irisan (kolektor), yang digunakan sebagai bahan awal dan tidak dapat dibuat sangat tipis.Hal ini menyebabkan kolektor sangat resistif dan tidak cocok untuk penggunaan tertentu.
Dalam teknik epitaksial, lapisan tipis jenis n atau jenis p dari semikonduktor dikembangkan pada bahan semikonduktor yang diserapi (doping) berat.Bahan diserapi berat ini dinamakan landasan atauu lapisan yang terbentuk demikian dapat berperan sebagai kolektor, basis, dan emitter dari transistor.Dapat disebutkan disini bahwa perkembangan terakhir dalam teknik ini menumbuhkan lapisan sangat tipis dalam tebal beberapa puluh atau angstrom.
2. Keuntungan system sensor yang menggunakan fototransistor adalah
Vout Sudah Digital.
Tidak butuh preamp penguat signal.
Operasi tegangan rendah (5V).
Proyek pembuatan sensor lebih mudah
3. Kelemahan system sensor yang menggunakan fototransistor adalah
Rawan Kotoran.
Harus mengerti elektronik walau sedikit.
Butuh regulator stepdown dari 12V ke 5V.
Untuk sistem pengapian langsung akan mengunci ON terus atau OFF terus saat sensor tidak berputar.(Rawan terbakar pada Coil dan Driver sistem pengapian
4. Karakteristik dari fototransistor adalah
Dalam rangkaian jika menerima cahaya akan berfungsi sebagai resistan.
Dapat menerima penerimaan cahaya yang redup (kecil).
Semakin tinggi intensitas cahaya yang diterima, maka semakin besar pula resistan yang dihasilkan.
Memerlukan sumber tegangan yang kecil.
Menghantarkan arus saat ada cahaya yang mengenainya.
Penerimaan cahaya dilakukan pada bagian basis.
Apabila tidak menerima cahaya maka tidak akan menghantarkan arus.
5. Perbedaan fototransistor dengan foto diode adalah
Fototransistor lebih cepat merespon cahaya
Waktu keluarannya lebih lambat dari fotodioda
Fototransistor biasanya ditempatkan dalam suatu material transparan
Dalam teknik penumbuhan (grown technique), suatu kristal tunggal ditarik dari lelehan silikon (germanium) yang mengandung atau dapat dikatakan pencampuran jenis n. Selama proses penarikan jenis pencampur dari lelehan diubah dengan menambahakan mula – mula pencampur jenis p. Kemudian pencampur jenis n ditambahkan lagi membentuk transistor jenis n-p-n. Demikian pula, transistor p-n-p dapat pula dibuat.
Dalam teknik aloi atau teknik leleh (fused), bintik kecil indium (elemen aseptor) ditempatkan masing-masing sisi wafer tipis semikonduktor jenis n.Gabungan tersebut dipanaskan dalam waktu singkat pada temperature tinggi.Selama proses tersebut indium meresap dan masuk ke dalam smikonduktor.Susunan pada waktu mendingin menjadi transistor p-n-p.Dengan cara yang sama transistor n-p-n dapat dibuat.
Dalam teknik difusi, semikonduktor ekstrinsik (dikatakan jenis n) berperan sebagai kolektor yang dipanaskan dalam pembakar berisi pencampur jenis p. Hasil pencampuran yang berbentuk gas berdifusi masuk ke dalam permukaan semikonduktor membentuk daerah p yang akan digunakan sebagai basis transistor.Irisan ini kemudian ditutup oleh mask dengan bukaan tertentu kemudian dipanaskan kembali dalam bentuk gas dari pencampur jenis n yang akan membentuk bahan jenis n dalam lapisan jenis p. Lapisan n akan membentuk emitter dari transistor yang merupakan proses rombongan (batch). Dalam teknik difusi tebal irisan (kolektor), yang digunakan sebagai bahan awal dan tidak dapat dibuat sangat tipis.Hal ini menyebabkan kolektor sangat resistif dan tidak cocok untuk penggunaan tertentu.
Dalam teknik epitaksial, lapisan tipis jenis n atau jenis p dari semikonduktor dikembangkan pada bahan semikonduktor yang diserapi (doping) berat.Bahan diserapi berat ini dinamakan landasan atauu lapisan yang terbentuk demikian dapat berperan sebagai kolektor, basis, dan emitter dari transistor.Dapat disebutkan disini bahwa perkembangan terakhir dalam teknik ini menumbuhkan lapisan sangat tipis dalam tebal beberapa puluh atau angstrom.
2. Keuntungan system sensor yang menggunakan fototransistor adalah
Vout Sudah Digital.
Tidak butuh preamp penguat signal.
Operasi tegangan rendah (5V).
Proyek pembuatan sensor lebih mudah
3. Kelemahan system sensor yang menggunakan fototransistor adalah
Rawan Kotoran.
Harus mengerti elektronik walau sedikit.
Butuh regulator stepdown dari 12V ke 5V.
Untuk sistem pengapian langsung akan mengunci ON terus atau OFF terus saat sensor tidak berputar.(Rawan terbakar pada Coil dan Driver sistem pengapian
4. Karakteristik dari fototransistor adalah
Dalam rangkaian jika menerima cahaya akan berfungsi sebagai resistan.
Dapat menerima penerimaan cahaya yang redup (kecil).
Semakin tinggi intensitas cahaya yang diterima, maka semakin besar pula resistan yang dihasilkan.
Memerlukan sumber tegangan yang kecil.
Menghantarkan arus saat ada cahaya yang mengenainya.
Penerimaan cahaya dilakukan pada bagian basis.
Apabila tidak menerima cahaya maka tidak akan menghantarkan arus.
5. Perbedaan fototransistor dengan foto diode adalah
Fototransistor lebih cepat merespon cahaya
Waktu keluarannya lebih lambat dari fotodioda
Fototransistor biasanya ditempatkan dalam suatu material transparan
ini aj ya
Home / BLOG / FototransistorFototransistor
Posted on: 12-26-2008 Posted in: Electronics
Fototransistor merupakan salah satu komponen yang berfungsi sebagai detektor cahaya yang dapat mengubah efek cahaya menjadi sinyal listrik. Karena itu fototransistor termasuk dalam detektor optik.
Fototransistor dapat diterapkan sebagai sensor yang baik, karena memiliki kelebihan dibandingkan dengan komponen lain yaitu mampu untuk mendeteksi sekaligus menguatkannya dengan satu komponen tunggal. Fototransistor memiliki
sambungan kolektor – basis yang besar dan dengan cahaya karena cahaya dapat membangkitkan pasangan lubang elektron. Dengan diberi prasikap maju, cahaya yang masuk akan menimbulkan arus pada kolektor.
Bahan utama dari fototransistor adalah silikon atau germanium sama seperti pada transistor jenis lainnya. Fototransistor juga memiliki dua tipe seperti transistor yaitu tipe NPN dan tipe PNP. Fototransistor sebenarnya tidak berbeda dengan transistor biasa, hanya saja fototransistor ditempatkan dalam suatu material yang transparan sehingga memungkinkan cahaya (cahaya inframerah) mengenainya (daerah basis), sedangkan transistor biasa ditempatkan pada bahan logam dan tertutup. Simbol dari fototransistor seperti pada terlihat pada gambar simbol fototransistor.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar